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三星推出8nm射频工艺技术
来源:数字通信世界   作者:赵法彬   添加时间:2021-06-09 17:18
三星今天宣布开发新一代“8纳米射频(RF)工艺技术”,强化5G通信芯片的解决方案。
2021年6月9日,三星宣布开发新一代“8纳米射频(RF)工艺技术”,强化5G通信芯片的解决方案。
 
三星半导体韩国H3晶圆代工厂全景
 
这种先进的制造技术支持5G通信的多通道和多天线芯片设计,有望为5G通信提供“单芯片的解决方案(One Chip Solution)”。三星的8nm RF平台扩展计划,能够增强从Sub-6GHz到毫米波(mmWave)应用的5G半导体代工市场的主导地位。
 
三星8nm RF是从已有28nm,14nm RF代工解决方案拓展的新一代工艺技术。自2017年至今,三星以高端智能手机为主,已生产了超过5亿颗的RF 芯片,在RF芯片代工市场建立了主导地位。
 
“通过技术创新和制造工艺的精益求精,我们推出了下一代无线通信的代工技术方案,”三星电子代工技术开发团队负责人Hyung Jin Lee表示,“随着5G毫米波的应用扩大,三星的8nm RF技术为客户提供更好的解决方案,满足客户不断提升的用户体验,在小的芯片上提供更长的电池使用时间,高质量的通信信号。”
 
三星新一代RFeFET™ 器件结构
 
RF芯片把接受的射频信号转换数字信号用于数字处理,把处理后的数字信号转换为射频信号用于发射。RF工艺技术中,模拟/RF器件性能和数字器件性能都非常重要。
 
随着半导体工艺节点的缩微,数字电路在性能,功耗和面积上都有显著改善,然而模拟/RF 模块由于寄生特性难以缩微。由于线宽较窄,导致电阻增加,RF信号放大性能减弱,功耗增加,RF芯片整体性能下降。
 
为了克服模拟/RF电路在工艺缩微时的技术挑战,三星开发了一种名为“RFeFET™(RF extremeFET)”的独特RF器件结构,新的结构只在8nm RF平台上提供,新的RF器件使用小的功率就能提升RF性能。与此前的14nm工艺相比,三星“RFeFET™(RF extremeFET)”可以帮忙数字电路的缩微,同时提升模拟/RF性能,提供高性能的5G技术平台。
 
工艺优化包括电子迁移率增大化和寄生特性最小化。由于RFeFET™的性能的提升,射频芯片中晶体管的总数可以减少,模拟电路的面积可以减少。
 
由于三星“RFeFET™(RF extremeFET)”的创新,与此前的14nm工艺相比,三星的8nm RF工艺可减少约35%的射频芯片面积,且能效也有约35%的提升。
 

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